CMP 中的过氧化物混合分配

化学机械抛光（或研磨）将化学反应和机械研磨相结合，是一项成本高昂且具有挑战性的重要纳米级抛光工艺。

抛光通过含有氧化剂的浆料来完成，该氧化剂通常为过氧化氢 (H2O2)。使用 CMP 浆料前，先在工厂对其进行混合或稀释。确保正确地混合至关重要，因为混合效果直接关系到化学反应速率和晶圆抛光速率。

使用维萨拉 K-PATENTS® 半导体行业折光仪测量 CMP 浆料的浓度，可在不造成晶圆表面划伤的情况下获得最佳的CMP 性能。
维萨拉 K-PATENTS® 半导体行业折光仪：

维萨拉的应用报告解释了半导体行业折光仪安装在推荐位置来改进工艺以实现最佳性能。

填写表格下载应用报告。

了解晶圆厂化学品工艺监测和缺陷检测方面的所有应用

Email Address*

First Name*

Last Name*

Country*

State or Province*

Company*

Title

Business Phone*

I authorize Vaisala to send me information about relevant products and services.

点击提交代表您已阅读并同意维萨拉可能会出于《维萨拉隐私政策》中所述目的处理您的个人信息，及根据本政策向中国境外传输。详情请阅读《维萨拉隐私政策》，
您可以随时在此处修改您的偏好设置或取消订阅。