控制湿法蚀刻中的 KOH 浓度，实现更快的晶圆蚀刻速度和更高的晶圆质量

工业测量

液体测量

半导体制造

您是否正在为湿法蚀刻过程中 KOH 浓度不稳定而导致蚀刻结果不一致或良率下降而苦恼？

欢迎参加这场免费的 20 分钟网络研讨会，为您答疑解惑。

控制氢氧化钾 (KOH) 浓度对于硅晶圆加工的精度和良率至关重要。蚀刻速率取决于 KOH 浓度和温度。

在本次维萨拉网络研讨会中，产品经理 Visa Lukkarinen 将分享其专业见解，介绍如何通过原位在线折光法在湿法蚀刻应用中实现精确的测量、稳健的过程控制和良好的运营效率。

半导体行业的工艺工程师和管理人员
专注于良率和效率的质量与运营专业人士
任何对液体测量技术感兴趣的人

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网络研讨会发言人：Visa Lukkarinen

Visa Lukkarinen

产品经理

Visa Lukkarinen 在折光仪领域拥有 5 年工作经验，曾在技术和商务方面担任多个角色。作为产品经理，Visa 负责推动液体测量产品实现商业成功，并主导其研发项目。Visa 毕业于芬兰阿尔托大学，获电气工程硕士学位。

通过压力、温度、湿度和液体浓度测量，提高半导体产品的产量、安全性和性能。